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Typical Characteristics
1.2
V GS = V DS
1.15
I D = 250 μ A
1.0
I D = 250 μ A
1.10
1.05
0.8
1.00
0.6
0.95
0.4
-80
-40 0 40 80 120 160
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
200
0.90
-80
-40 0 40 80 120 160
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
200
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
20000
10000
C oss
C iss
10
8
6
I D = 35A
V DD = 15V
V DD = 20V
V DD = 25V
1000
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
4
2
100
0.1
1
10
50
0
0
20
40 60 80 100 120
140
160
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE ( V )
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 14. Gate Charge vs Gate to Source Voltage
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB8443 Rev. C1
5
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